对比图
描述 NPN通用放大器 NPN General Purpose AmplifierON SEMICONDUCTOR MPSW01G 功率晶体管, NPNTrans GP BJT NPN 30V 1A 3Pin TO-226 Ammo
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226
频率 - 50 MHz -
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 1.00 A 1.00 A -
针脚数 - 3 -
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 1 W -
集电极击穿电压 - 40.0 V -
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 - 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V
额定功率(Max) 1 W 1 W -
直流电流增益(hFE) - 50 -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1000 mW 0.01 W
增益频宽积 - - 50 MHz
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Bulk Box -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99