对比图
型号 IS43DR16160A-37CBLI IS43DR16160B-37CBLI
描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器
数据手册 --
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 84 84
封装 TFBGA-84 TFBGA-84
供电电流 270 mA 205 mA
时钟频率 - 266 MHz
位数 - 16
存取时间 - 500 ps
存取时间(Max) 0.5 ns 0.5 ns
工作温度(Max) - 85 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) 1.9 V -
电源电压(Min) 1.7 V -
封装 TFBGA-84 TFBGA-84
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free Lead Free
ECCN代码 - EAR99