AUIRF3415和IRF3415PBF

对比图

型号 AUIRF3415 IRF3415PBF IRF3415

描述 INFINEON  AUIRF3415  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRF3415PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 150V 43A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - 150 V 150 V

额定电流 - 43.0 A 43.0 A

漏源极电阻 0.042 Ω 0.042 Ω 42.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 200 W 200 W

产品系列 - IRF3415 IRF3415

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 - 150 V 150V (min)

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 43A 43.0 A 43.0 A

上升时间 55 ns 55 ns 55 ns

下降时间 69 ns 69 ns 69 ns

额定功率 200 W 200 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

阈值电压 2 V 4 V -

输入电容 - 2400pF @25V -

热阻 - 0.75℃/W (RθJC) -

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 200 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.66 mm 10 mm -

宽度 4.82 mm 4.4 mm -

高度 16.51 mm 8.77 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -