IXFN44N50U2和IXFN80N50

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFN44N50U2 IXFN80N50 IXFN48N50U2

描述 SOT-227B N-CH 500V 44AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN80N50  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 VTrans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227B

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Chassis Screw Chassis

引脚数 - 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 80.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.055 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 520W (Tc) 780 W 520W (Tc)

阈值电压 - 4.5 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V -

连续漏极电流(Ids) 44A 80.0 A -

上升时间 - 70 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) 9890pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 780 W 520 W

下降时间 - 27 ns 30 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -40 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) 520W (Tc) 700W (Tc) 520W (Tc)

长度 - 38.23 mm -

宽度 - 25.42 mm -

高度 - 9.6 mm -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

材质 - Silicon Silicon

重量 - 0.000036 kg -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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