BLF6G10LS-135R和BLF6G10LS-135RN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G10LS-135R BLF6G10LS-135RN BLF6G10LS-135R,112

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3Pin SOT-502B Bulk

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 - - SOT-502

频率 - - 871.5MHz ~ 891.5MHz

额定电流 - - 32 A

输出功率 - - 26.5 W

增益 - - 21 dB

测试电流 - - 950 mA

工作温度(Max) - - 225 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 - - SOT-502

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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