MMSF2P02ER2和TPS1100D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMSF2P02ER2 TPS1100D FDS9435A

描述 SOIC P-CH 20V 2.5A单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSFDS9435A 系列 30 V 50 mOhm P沟道 PowerTrench Mosfet - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - -15.0 V -

额定电流 - -1.60 A -

输出电压 - -15.0 V -

漏源极电阻 - 0.18 Ω 0.042 Ω

极性 P-CH P-Channel -

耗散功率 - 791 mW 2.5 W

漏源极电压(Vds) 20 V 15 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 2.5A -1.60 A -

上升时间 - 10 ns 13 ns

额定功率(Max) - 791 mW 1 W

下降时间 - 2 ns 9 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 791mW (Ta) 2500 mW

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1.7 V

输入电容(Ciss) - - 528pF @15V(Vds)

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

材质 - Silicon -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

香港进出口证 - NLR -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台