1N5756B和TC68V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5756B TC68V 1N5266B(DO-35)

描述 400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODESDO-35 68V 0.5W(1/2W)DIODE ZENER 68V 0.5W(1/2W) DO35

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) TAK Cheong Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-204AH DO-35 DO-35

引脚数 - - 2

耗散功率 - 500 mW -

稳压值 68 V 68 V 68 V

额定电压(DC) - - 68.0 V

容差 ±5 % - ±5 %

额定功率 - - 500 mW

正向电压 900mV @10mA - 1.5V @200mA

测试电流 - - 1.8 mA

正向电压(Max) 900mV @10mA - 1.5V @200mA

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-204AH DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

材质 - - Glass

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 175℃

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