DTC124EETL和FJV3108RMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC124EETL FJV3108RMTF DTC124EET1G

描述 NPN 100毫安50V数字晶体管 NPN 100mA 50V Digital Transistors特性•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=47KΩ,R2=22KΩ)•FJV4108R的补充NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-416-3 SOT-23-3 SC-75-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

额定功率 0.15 W - -

极性 N-Channel, NPN NPN NPN

耗散功率 0.15 W 200 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 56 @5mA, 5V 56 @5mA, 5V 60 @5mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz 250 MHz -

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW 300 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

最大电流放大倍数(hFE) - - 60

长度 1.6 mm - 1.65 mm

宽度 0.8 mm - 0.9 mm

高度 0.7 mm 0.93 mm 0.8 mm

封装 SOT-416-3 SOT-23-3 SC-75-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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