PHP83N03LT和PHP83N03LT,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP83N03LT PHP83N03LT,127

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorTO-220AB N-CH 25V 75A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-78 TO-220-3

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 SOT-78 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube

额定电压(DC) 25.0 V -

额定电流 75.0 A -

输入电容 1.66 nF -

栅电荷 33.0 nC -

漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75A

极性 - N-CH

耗散功率 - 115W (Tc)

输入电容(Ciss) - 1660pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 115W (Tc)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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