ICT-10和ICTE-10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICT-10 ICTE-10 1N6358

描述 瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENERTrans Voltage Suppressor Diode,瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENER

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Taitron Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 DO-202AA-2 - DO-13-2

脉冲峰值功率 1500 W - 1500 W

最小反向击穿电压 11.7 V - 11.7 V

工作电压 - - 10 V

击穿电压 - - 11.7 V

耗散功率 - - 1 W

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-202AA-2 - DO-13-2

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

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