DS3065W-100和DS3065W-100#

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS3065W-100 DS3065W-100# DS2065W-100#

描述 3.3V单件的8Mb非易失SRAM ,带有时钟 3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM with ClockIC NVSRAM 8Mbit 100NS 256BGA1MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, PBGA256, 27 X 27 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, BGA-256

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 BGA BGA-256 BGA

安装方式 - Surface Mount -

封装 BGA BGA-256 BGA

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tube -

ECCN代码 3A991.b.2.a - -

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 - 100 GHz -

存取时间 - 100 ns -

内存容量 - 8000000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - 40 ℃ -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free

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