DS2016-150和LH5116-10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS2016-150 LH5116-10 LH5116-10F

描述 静态随机存取存储器SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIPSRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Sharp (夏普) Sharp (夏普)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 PDIP-24 DIP-24 DIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 150 GHz 100 GHz 100 GHz

存取时间 150 ns 100 ns 100 ns

内存容量 16000 B 16000 B 16000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

存取时间(Max) - 100 ns -

封装 PDIP-24 DIP-24 DIP-24

高度 - 4.25 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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