对比图
型号 PHD23NQ10T PHD23NQ10T,118 PHD23NQ10T/T3
描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorDPAK N-CH 100V 23ATRANSISTOR 23 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 DPAK TO-252-3 -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 - 100W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -
连续漏极电流(Ids) 23A 23A -
输入电容(Ciss) - 1187pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 100W (Tc) -
封装 DPAK TO-252-3 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -