对比图
型号 IXTK170P10P IXTX170P10P
描述 通孔 P 通道 100V 170A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）P沟道 100V 170A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-264-3 TO-247-3
极性 P-CH P-CH
耗散功率 890 W 890W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 170A 170A
上升时间 75 ns 75 ns
输入电容(Ciss) 12600pF @25V(Vds) 12600pF @25V(Vds)
下降时间 45 ns 45 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 890W (Tc) 890W (Tc)
通道数 1 -
漏源极电阻 12 mΩ -
漏源击穿电压 100 V -
封装 TO-264-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free