SPW24N60C3和SPW24N60CFD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPW24N60C3 SPW24N60CFD SIHG24N65E-GE3

描述 INFINEON  SPW24N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24.3 A, 650 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorVISHAY  SIHG24N65E-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 24A, TO-247AC-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.14 Ω 185 mΩ 0.12 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 240 W 240 W 250 W

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) 24.3 A 21.7 A -

上升时间 21 ns 24 ns -

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3160pF @25V(Vds) 2740pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 240 W 240 W -

下降时间 14 ns 9 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 240W (Tc) 240W (Tc) 250 W

针脚数 3 - 3

阈值电压 3 V - 2 V

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 24.3 A - -

输入电容 3.00 nF - -

栅电荷 135 nC - -

长度 16.03 mm 16.13 mm 15.87 mm

宽度 5.16 mm 5.21 mm 5.31 mm

高度 21.1 mm 21.1 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

香港进出口证 NLR - -

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