对比图
型号 BUK7515-100A,127 PSMN009-100P,127 PSMN015-100P
描述 TO-220AB N-CH 100V 75ATO-220AB N-CH 100V 75AN沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 - 7.5 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 300 W 230 W 300 W
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 75A 75A 75.0 A
输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 8250pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 230 W 300 W
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 230W (Tc) 300000 mW
上升时间 85 ns - 65 ns
下降时间 70 ns - 50 ns
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 75.0 A
输入电容 - - 4.90 nF
栅电荷 - - 90.0 nC
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -