BZD27C30P-HE3-08和BZD27C30P-HE3-18

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C30P-HE3-08 BZD27C30P-HE3-18

描述 稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-219AB-2 DO-219AB-2

击穿电压 30.0 V 30.0 V

正向电压 1.2V @200mA 1.2V @200mA

耗散功率 2.3 W -

测试电流 25 mA -

稳压值 30 V 30 V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 800 mW -

长度 3.9 mm -

宽度 1.9 mm -

高度 1.08 mm -

封装 DO-219AB-2 DO-219AB-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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