对比图
型号 IRF640S STB19NB20T4 STB19NB20
描述 N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFETD2PAK N-CH 200V 19AN - 沟道增强型的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
封装 TO-263-3 D2PAK D2PAK
通道数 1 - -
漏源极电阻 180 mΩ - -
耗散功率 125 W - -
漏源击穿电压 200 V - -
上升时间 27 ns - -
下降时间 25 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) 65 ℃ - -
极性 - N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - 19A 19A
长度 10.4 mm - -
宽度 9.35 mm - -
高度 4.6 mm - -
封装 TO-263-3 D2PAK D2PAK
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant