对比图
型号 PH4830L PH4830L,115
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETMOSFET N-CH 30V 84A LFPAK
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-669 SOT-669
引脚数 - 5
极性 N-CH -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 84A -
输入电容(Ciss) 2786pF @12V(Vds) 2786pF @12V(Vds)
额定功率(Max) 62.5 W -
耗散功率 - 62.5W (Tc)
上升时间 - 43 ns
下降时间 - 19 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 62.5W (Tc)
封装 SOT-669 SOT-669
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free