FDS9933A和NDS9933

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS9933A NDS9933 SI4943BDY-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9933A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.8 A, -20 V, 75 mohm, -4.5 V, -800 mV双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -

额定电流 -3.80 A -3.20 A -

漏源极电压(Vds) 20 V 20.0 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3.80 A 3.20 A -8.40 A

通道数 2 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.075 Ω - 19 mΩ

极性 P-Channel, Dual P-Channel - Dual P-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

输入电容 600 pF - -

栅电荷 7.00 nC - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

上升时间 9 ns - 10 ns

输入电容(Ciss) 600pF @10V(Vds) - -

额定功率(Max) 900 mW - 1.1 W

下降时间 28 ns - 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 900 mW - 2000 mW

反向恢复时间 - - 55 ns

正向电压(Max) - - 1.2 V

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -

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