对比图
型号 IXFH10N80P IXFT9N80Q IXFA10N80P
描述 N沟道 800V 10ATO-268 N-CH 800V 9AIXYS SEMICONDUCTOR IXFA10N80P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 10 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-263-3
通道数 1 1 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 1.1 Ω 1.1 Ω 1.1 Ω
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 180 W 300 W
阈值电压 5.5 V - 5.5 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V 800 V
上升时间 22 ns 20 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 13 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 180W (Tc) 300W (Tc)
连续漏极电流(Ids) - 9A -
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-263-3
长度 16.26 mm 16.05 mm -
宽度 5.3 mm 14 mm -
高度 21.46 mm 5.1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15