对比图
型号 MC33171PG TLE2021IP MC33171N
描述 ON SEMICONDUCTOR MC33171PG 运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 2.1 V/µs, ± 1.5V 至 ± 22V, DIP, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS TLE2021IP 运算放大器, 单路, 1.2 MHz, 1个放大器, 0.5 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, DIP, 8 引脚STMICROELECTRONICS MC33171N 运算放大器, 单路, 2.1 MHz, 1个放大器, 2 V/µs, ± 2V 至 ± 22V, DIP, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 8 8 8
封装 DIP-8 PDIP-8 DIP-8
电源电压(DC) 15.0 V 20.0 V 15.0 V
供电电流 220 µA 240 µA 220 µA
电路数 1 1 1
通道数 1 1 1
针脚数 8 8 8
共模抑制比 80 dB 85 dB 80 dB
带宽 1.8 MHz 1.2 MHz 2.1 MHz
转换速率 2.10 V/μs 500 mV/μs 2.00 V/μs
增益频宽积 1.8 MHz 1.2 MHz 2.1 MHz
输入补偿电压 2 mV 120 µV 1 mV
输入偏置电流 20 nA 25 nA 20 nA
工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 105 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃
增益带宽 1.8 MHz 2 MHz 2.1 MHz
共模抑制比(Min) 80 dB 85 dB 80 dB
电源电压(Max) 44 V - 44 V
电源电压(Min) 3 V - 4 V
工作电压 - - 2V ~ 22V
输出电流 - ≤20 mA -
耗散功率 - 1 W -
输入补偿漂移 - 2.00 µV/K -
耗散功率(Max) - 1000 mW -
长度 9.27 mm - 10.92 mm
宽度 6.35 mm - 6.6 mm
高度 5.33 mm - 3.32 mm
封装 DIP-8 PDIP-8 DIP-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -