SMBJ8.5A-E3/5B和P6SMB10A R4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ8.5A-E3/5B P6SMB10A R4

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 8.5V 600W 2Pin SMB T/RDiode TVS Single Uni-Dir 8.55V 600W 2Pin SMB T/R

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 SMB SMB

击穿电压 - 10 V

耗散功率 - 600 W

钳位电压 14.4 V 14.5 V

测试电流 1 mA 1 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 100 A

脉冲峰值功率 600 W 600 W

击穿电压 9.44 V 9.5 V

正向电压(Max) - 5 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

最大反向电压(Vrrm) 8.5V -

最大反向击穿电压 9.44 V -

封装 SMB SMB

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3200 -

RoHS标准

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台