IBC和IRG4IBC30UD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IBC IRG4IBC30UD IRG4IBC30UDPBF

描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC, FULL PACK-3Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 3Pin (3+Tab) TO-220 Full-PakINFINEON  IRG4IBC30UDPBF  单晶体管, IGBT, 17 A, 1.95 V, 45 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 45 W 45 W

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 45 W

输入电容 - - 1100 pF

上升时间 - - 21 ns

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V

热阻 - - 65 ℃/W

反向恢复时间 - 42 ns 42 ns

额定功率(Max) - 45 W 45 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 45000 mW

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 4.83 mm

高度 - - 9.02 mm

封装 - TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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