对比图
型号 IRFIZ24NPBF IRFIZ34NPBF IRFIZ24N
描述 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFIZ34NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 VTO-220FP N-CH 55V 14A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 26 W 31 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.07 Ω 0.04 Ω 70.0 mΩ (max)
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 29 W 31 W -
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 370 pF 700pF @25V -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 14A 21A 14.0 A
上升时间 34 ns 49 ns 34.0 ns
输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 29 W 37 W 29 W
下降时间 27 ns 40 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 29W (Tc) 37W (Tc) -
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 13.0 A
产品系列 - - IRFIZ24N
漏源击穿电压 55 V - 55.0V (min)
通道数 1 - -
长度 10.75 mm 10.75 mm -
宽度 4.83 mm 4.83 mm -
高度 9.8 mm 9.8 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -