BSH112和TN2106K1-G的区别_BSH112代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 BSH112 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK1 防止过高的输入电压浪涌门和源之间的集成二极管TN2106K1-G 编带t- Mosfet n Chan Enhan

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Microchip (微芯) NTE Electronics

分类 MOS管分立器件

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 0.3A - -

额定功率 - 0.36 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 2.5 Ω -

耗散功率 - 0.36 W -

阈值电压 - 2 V -

上升时间 - 5 ns -

输入电容(Ciss) - 50pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 360 mW -

下降时间 - 5 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 360mW (Tc) -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -