MUN5111DW1T1G和RN1422

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5111DW1T1G RN1422 DDA114TU-7

描述 ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。RN1422 带阻NPN三极管 50V 800mA/0.8A 2.2k 2.2k SOT-23/SC-59/S-Mini marking/标记 QB 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6Pin SOT-363 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SC-88-6 S-Mini SC-70-6

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 PNP, P-Channel NPN PNP

耗散功率 0.385 W - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 800mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V - 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V - -

额定功率(Max) 250 mW - 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 385 mW - 200 mW

增益带宽 - - 250 MHz

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.9 mm - -

封装 SC-88-6 S-Mini SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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