TLC27L1BCD和TLC27L1IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27L1BCD TLC27L1IDR TLC27L1ID

描述 LinCMOSE低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC -40 to 85LinCMOSE低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 3V ~ 16V - -

供电电流 14 µA 14 µA 14 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.725 W 725 mW 725 mW

共模抑制比 65 dB 65dB ~ 94dB 65dB ~ 94dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.10 µV/K

带宽 85 kHz 85.0 kHz 85.0 kHz

转换速率 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs

增益频宽积 110 kHz 85 kHz 0.085 MHz

输入补偿电压 260 µV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.7 pA

增益带宽 0.085 MHz 0.085 MHz 0.085 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压(Max) 16 V 16 V 16 V

电源电压(Min) 3 V 4 V 4 V

输出电流 - ≤30 mA ≤30 mA

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ 40 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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