对比图
型号 ATF-541M4-BLK ATF-541M4-TR2 ATF-541M4-TR1G
描述 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Single VoltageTrans JFET N-CH 5V 120mA pHEMT 4Pin Mini-PAK T/RRF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, 1.4 MM X 1.2 MM, 0.7 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-4
数据手册 ---
制造商 AVAGO Technologies (安华高科) Broadcom (博通) Agilent (安捷伦)
分类 JFET晶体管晶体管
安装方式 - Surface Mount -
封装 0505 0505 -
频率 2 GHz 2 GHz -
额定电流 120 mA 120 mA -
耗散功率 360 mW 360 mW -
漏源击穿电压 - 5 V -
栅源击穿电压 - ±5 V -
输出功率 21.4 dBm 21.4 dBm -
增益 17.5 dB 17.5 dB -
测试电流 60 mA 60 mA -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
额定电压 - 5 V -
漏源极电压(Vds) 5 V - -
封装 0505 0505 -
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -