BD676AS和BD676G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD676AS BD676G BD678A

描述 达林顿晶体管 PNP Epitaxial SilPNP 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管BD6xxx 系列 60 V 4 A PNP互补功率达林顿晶体管 - SOT-32

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -60.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -4.00 A

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 3

极性 PNP PNP -

耗散功率 14 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 60 V

集电极最大允许电流 4A 4A -

最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 14 W 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) - 750 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 14000 mW 40000 mW 40000 mW

额定功率 14 W - -

长度 8 mm 7.74 mm 7.8 mm

宽度 3.25 mm 2.66 mm 2.7 mm

高度 11.2 mm 11.04 mm 10.8 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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