对比图
型号 IRF2907ZPBF IRFB3077PBF IRF2907ZLPBF
描述 INFINEON IRF2907ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFB3077PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 VN 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
额定功率 330 W 370 W 330 W
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0045 Ω 0.0033 Ω 0.0035 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 330 W 370 W 330 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 7500 pF 9400 pF -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 - 75 V -
连续漏极电流(Ids) 170A 210A 170A
上升时间 140 ns 87 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 9400pF @50V(Vds) 7500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 370 W 300 W
下降时间 100 ns 95 ns 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 370W (Tc) 300000 mW
长度 10 mm 10.67 mm 10.2 mm
宽度 4.4 mm 4.82 mm 4.5 mm
高度 15.65 mm 9.02 mm 10.54 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -