对比图
描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-3 TO-3-3
频率 - 30 MHz
额定电压(DC) - 140 V
额定电流 - 10.0 A
极性 NPN NPN
耗散功率 - 80 W
击穿电压(集电极-发射极) 140 V 140 V
集电极最大允许电流 10A 10A
最小电流放大倍数(hFE) - 90 @3A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) - 180
额定功率(Max) - 80 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 80000 mW
长度 - 15.7 mm
宽度 - 5.7 mm
高度 - 16.7 mm
封装 TO-3 TO-3-3
材质 - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99