IXTA3N50P和IXTY3N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA3N50P IXTY3N50P IXTP3N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3Pin(2+Tab) TO-263Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3Pin(2+Tab) TO-252AATrans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3Pin(3+Tab) TO-220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 3.00 A 3.00 A 3.00 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 2 Ω 2 Ω -

耗散功率 70 W 70 W 70W (Tc)

阈值电压 5.5 V 5.5 V 5.5 V

输入电容 409 pF 409 pF 409 pF

栅电荷 9.30 nC 9.30 nC 9.30 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 3.60 A 3.00 A

上升时间 15 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 409pF @25V(Vds) 409pF @25V(Vds) 409pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)

额定功率(Max) 70 W - -

长度 9.65 mm 6.22 mm -

宽度 10.41 mm 6.73 mm -

高度 4.83 mm 2.38 mm -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Last Time Buy Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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