PZT751T1和PZT751T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PZT751T1 PZT751T1G

描述 PNP硅平面外延型晶体管 PNP Silicon Planar Epitaxial TransistorON SEMICONDUCTOR  PZT751T1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 75 MHz, 800 mW, -2 A, 40 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4

频率 - 75 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V

额定电流 -5.00 A 2.00 A

针脚数 - 4

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 - 800 mW

增益频宽积 - 75 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 75 @1A, 2V 75 @1A, 2V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW

直流电流增益(hFE) - 75

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW

集电极最大允许电流 2A -

长度 - 6.5 mm

宽度 - 3.5 mm

高度 - 1.57 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台