对比图
型号 STD27N3LH5 STD44N4LF6 STD38NH02LT4
描述 DPAK N-CH 30V 27AN沟道40 V ， 8.9 MI © ， 44采用DPAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 8.9 mΩ, 44 A DPAK STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFETN沟道24V - 0.011ohm - 38A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.011ohm - 38A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
通道数 1 - -
漏源极电阻 19 mΩ 0.0089 Ω 15.0 mΩ
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 30 W 50 W 40W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 40 V 24 V
漏源击穿电压 30 V - 24.0 V
连续漏极电流(Ids) 27A - 38.0 A
输入电容(Ciss) 475pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds) 1070pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 30W (Tc) 50W (Tc) 40W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 1V ~ 2.5V -
输入电容 - 1190 pF -
上升时间 - 45 ns 62 ns
额定功率(Max) - 50 W 40 W
下降时间 - 8 ns 12 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - - 24.0 V
额定电流 - - 38.0 A
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free