71V416S12BEGI和IDT71V416S12BEGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V416S12BEGI IDT71V416S12BEGI CY7C1041DV33-10BVI

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48Pin CABGA3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 256K ×16位) 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA BGA VFBGA-48

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 48 - 48

封装 BGA BGA VFBGA-48

长度 - - 8 mm

宽度 - - 6 mm

高度 0.85 mm - 0.21 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

频率 - - 100 MHz

时钟频率 - - 100 MHz

位数 - - 16

存取时间 - - 10 ns

存取时间(Max) - - 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 - - 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司