IRFI530N和IRFI530NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFI530N IRFI530NPBF

描述 TO-220FP N-CH 100V 12AINFINEON  IRFI530NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 100 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 41W (Tc) 33 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 12A 12A

输入电容(Ciss) 640pF @25V(Vds) 640pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 41W (Tc) 41W (Tc)

额定功率 - 33 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.11 Ω

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 640 pF

上升时间 - 27 ns

下降时间 - 25 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.75 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 9.8 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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