对比图
型号 AUIRFP2907 IRFP2907 IRFP2907ZPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。TO-247AC N-CH 80V 209AINFINEON IRFP2907ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
极性 N-Channel N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 75 V 80 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 209A 209A 170A
上升时间 190 ns 190 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 13000pF @25V(Vds) 13000pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)
下降时间 130 ns 130 ns 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 470W (Tc) 470000 mW 310W (Tc)
额定功率 470 W - 310 W
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.0036 Ω - 0.0045 Ω
耗散功率 470 W - 310 W
阈值电压 2 V - 4 V
针脚数 - - 3
漏源击穿电压 - - 75 V
封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
长度 15.87 mm - 15.9 mm
宽度 5.31 mm - 5.3 mm
高度 20.7 mm - 20.3 mm
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17