对比图
型号 IRFL024N IRFL024NTRPBF IRFL024NPBF
描述 SOT-223 N-CH 55V 4AINFINEON IRFL024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFL024NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 55 V, 75 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 2.80 A - -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1W (Ta) 1 W 2.1 W
产品系列 IRFL024N - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 2.80 A 4A 4A
上升时间 13.4 ns 13.4 ns 13.4 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)
下降时间 17.7 ns 17.7 ns 17.7 ns
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
额定功率 - 2.1 W 2.1 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.075 Ω 0.075 Ω
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 400 pF -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
长度 - 6.7 mm 6.7 mm
宽度 - 3.7 mm 3.7 mm
高度 - 1.8 mm 1.8 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon Silicon
产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free