对比图
型号 BUK9E4R4-40B BUK9E4R4-40B,127 BUK9E06-55B,127
描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETI2PAK N-CH 40V 174AI2PAK N-CH 55V 146A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 I2PAK TO-262-3 TO-262-3
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 254 W 254 W 258W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 55 V
连续漏极电流(Ids) - 174A 146A
输入电容(Ciss) - 7124pF @25V(Vds) 7565pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 254 W 258 W
耗散功率(Max) - 254W (Tc) 258W (Tc)
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 75.0 A - -
封装 I2PAK TO-262-3 TO-262-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 无铅