对比图
型号 STP9NK60Z STP9NK60ZFD 2SK2866(F)
描述 STMICROELECTRONICS STP9NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 VN沟道600V - 0.85欧姆-7A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK快速二极管超网MOSFET N-CHANNEL 600V-0.85 Ohm-7A TO-220/TO-220FP/D2PAK Fast Diode SuperMESH MOSFETTO-220AB N-CH 600V 10A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - -
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 7.00 A - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.85 Ω - -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 125 W - 125 W
阈值电压 3.75 V - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 7A 10A
上升时间 17 ns - -
输入电容(Ciss) 1110pF @25V(Vds) - 2040pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 125 W - 125 W
下降时间 15 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 125W (Tc) - 125W (Tc)
长度 10.4 mm - -
宽度 4.6 mm - -
高度 9.15 mm - -
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -