对比图
型号 FQD13N06TM RFD3055SM FQD13N06TF
描述 QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。12A ， 60V ， 0.150 Ohm的N通道功率MOSFET 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETsTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 10.0 A 12.0 A 10.0 A
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 53 W 2.5W (Ta), 28W (Tc)
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 12.0 A 10.0 A
上升时间 25 ns 21 ns -
输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - -
下降时间 15 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 53W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
漏源极电阻 - 150 mΩ 140 mΩ
漏源击穿电压 - 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±25.0 V
长度 6.6 mm 6.73 mm -
宽度 6.1 mm 6.22 mm -
高度 2.3 mm 2.39 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99