IXFV30N50P和IXTV30N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV30N50P IXTV30N50P IXFT30N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-268-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 200 mΩ - 200 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 460W (Tc) 460W (Tc) 460 W

输入电容 4.15 nF 4.15 nF 4.15 nF

栅电荷 70.0 nC 70.0 nC 70.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - 500 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 - - 24 ns

输入电容(Ciss) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds)

下降时间 - - 24 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc) 460W (Tc)

长度 - - 16.05 mm

宽度 - - 14 mm

高度 - - 5.1 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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