IRLL014PBF和IRLL014TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLL014PBF IRLL014TRPBF NDT014

描述 VISHAY  IRLL014PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 VVISHAY  IRLL014TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, 5 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT014  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 180 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 2.70 A - 2.70 A

针脚数 3 4 3

漏源极电阻 0.2 Ω 0.2 Ω 180 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1 W 3.1 W 3 W

阈值电压 2 V 1 V 3 V

输入电容 400pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V - 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.70 A 2.70 A 2.70 A

上升时间 110 ns 110 ns 64 ns

下降时间 26 ns 26 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

输入电容(Ciss) - - 155pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.1 W

耗散功率(Max) - - 3W (Ta)

长度 6.7 mm - 6.7 mm

高度 1.8 mm - 1.7 mm

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

宽度 - - 3.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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