IRFH5053TR2PBF和IRFH5053TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFH5053TR2PBF IRFH5053TRPBF

描述 PQFN N-CH 100V 25AINFINEON  IRFH5053TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.0144 ohm, 10 V, 3.7 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PowerVDFN-8 PowerVDFN-8

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) 3.1 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 25A 9.30 A, 9.30 mA

上升时间 14.6 ns 14.6 ns

输入电容(Ciss) 1510pF @50V(Vds) 1510pF @50V(Vds)

下降时间 9.9 ns 9.9 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)

额定功率 - 3.1 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.0144 Ω

产品系列 - IRFH5053

阈值电压 - 3.7 V

漏源击穿电压 - 100 V

额定功率(Max) - 3.1 W

封装 PowerVDFN-8 PowerVDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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