IXTH160N075T和IXTP160N075T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH160N075T IXTP160N075T IXTA160N075T7

描述 TO-247 N-CH 75V 160ATrans MOSFET N-CH 75V 160A 3Pin(3+Tab) TO-220D2PAK N-CH 75V 160A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-7

漏源极电阻 - 6.00 mΩ -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 360 W 360 W 360W (Tc)

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75.0 V -

连续漏极电流(Ids) 160A 160 A 160A

输入电容(Ciss) 4950pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 360 W -

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

上升时间 64 ns - -

下降时间 60 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-7

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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