199D226X0010CXB1E3和199D226X9010CXV1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D226X0010CXB1E3 199D226X9010CXV1E3 199D226X06R3CXV1E3

描述 Cap Tant Solid 22uF 10V 20% (5.5 X 9.14mm) Radial 2.54mm 125℃ T/RCap Tant Solid 22uF 10V 10% (5.5 X 9.14mm) Radial 2.54mm 125℃ BulkCAP TANT 22uF 6.3V 20% RADIAL

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容钽电容电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

电容 22 µF 22 µF 22.0 µF

容差 ±20 % ±10 % ±20 %

额定电压 10 V 10 V 6.3 V

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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