对比图
型号 IXFA16N50P IXTP16N50P IXTA16N50P
描述 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 5.5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTP16N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 5.5 VTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3Pin(2+Tab) D2PAK
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 16.0 A 16.0 A 16.0 A
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.4 Ω 0.4 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 300 W 300 W 300 W
阈值电压 5.5 V 5.5 V -
输入电容 2.25 nF 2.25 nF 2.25 nF
栅电荷 43.0 nC 43.0 nC 43.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16.0 A 16.0 A
上升时间 25 ns 25 ns -
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 22 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
反向恢复时间 - 400 ns -
额定功率(Max) - 300 W -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -