FQI5N50CTU和FQU5N50CTU

对比图

型号 FQI5N50CTU FQU5N50CTU

描述 N沟道 500V 5ATrans MOSFET N-CH 500V 4A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-251-3

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 5.00 A 5.00 A

漏源极电阻 1.14 Ω 1.40 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 73W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 4.00 A

输入电容(Ciss) 625pF @25V(Vds) 625pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 73 W -

耗散功率(Max) 73W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)

上升时间 - 46 ns

下降时间 - 48 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-262-3 TO-251-3

长度 - 6.8 mm

宽度 - 2.5 mm

高度 - 6.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99