IRLZ44NSTRLPBF和IRLZ44NSTRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRRPBF IRLZ44NSPBF

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 47AINTERNATIONAL RECTIFIER  IRLZ44NSPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 47A, D2-PAK 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 55.0 V 55.0 V

额定电流 - 47.0 A 47.0 A

漏源极电阻 0.022 Ω - 0.035 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 3.8W (Ta), 110W (Tc) 110 W

产品系列 - IRLZ44NS IRLZ44NS

阈值电压 2 V - 2 V

输入电容 1700 pF - 1700pF @25V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - - 55 V

连续漏极电流(Ids) 47A 47.0 A 47.0 A

上升时间 84 ns 84.0 ns 84.0 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W - 3.8 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) -

额定功率 83 W - -

针脚数 3 - -

下降时间 15 ns - -

长度 10.67 mm - 10.67 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

宽度 9.65 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台